PROTECTIVE COATING FOR A SEMICONDUCTOR REACTION CHAMBER

Processing methods and apparatus for depositing a protective layer on internal surfaces of a reaction chamber are provided. One method may include depositing, while no wafers are present in the reaction chamber having interior surfaces, a first layer of protective material onto the interior surfaces, the interior surfaces comprising a first material, processing, after the depositing the first layer, a portion of a batch of wafers within a reaction chamber, measuring an amount of the first material in the reaction chamber during processing the portion of the batch of wafers, or on one of the wafers in the portion of the batch of wafers, determining that the first amount exceeds a threshold, and depositing, in response to determining that the first amount exceeds the threshold and while no wafers are present in the reaction chamber, a second layer of protective material onto the interior surfaces of the reaction chamber. La présente invention concerne des procédés et un appareil de traitement pour déposer une couche de protection sur des surfaces internes d'une chambre de réaction. Un procédé peut comprendre les étapes consistant à déposer, tandis qu'aucune tranche n'est présente dans la chambre de réaction ayant des surfaces intérieures, une première couche de matériau de protection sur les surfaces intérieures, les surfaces intérieures comprenant un premier matériau, traiter, après le dépôt de la première couche, une partie d'un lot de tranches à l'intérieur d'une chambre de réaction, mesurer une quantité de premier matériau dans la chambre de réaction pendant le traitement de la partie du lot de tranches, ou sur l'une des tranches dans la partie du lot de tranches, déterminer si la première quantité dépasse un seuil, et déposer, s'il a été établi que la première quantité dépasse le seuil et qu'aucune tranche n'est présente dans la chambre de réaction, une seconde couche de matériau de protection sur les surfaces intérieures de la chambre de réaction.