RUTHENIUM-CONTAINING FILMS DEPOSITED ON RUTHENIUM-TITANIUM NITRIDE FILMS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Methods of forming ruthenium-containing films by atomic layer deposition and/or chemical vapor deposition are provided. The methods include a first step of forming a first film on a surface of the substrate and a second step of forming the ruthenium- containing film on at least a portion of the firs...

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Hauptverfasser: WOODRUFF, Jacob, LIU, Guo
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Methods of forming ruthenium-containing films by atomic layer deposition and/or chemical vapor deposition are provided. The methods include a first step of forming a first film on a surface of the substrate and a second step of forming the ruthenium- containing film on at least a portion of the first film. The first step includes delivering a titanium precursor and a first nitrogen-containing co-reactant to the substrate and delivering a first ruthenium precursor and a second nitrogen-containing co-reactant to the substrate to form the first film. The second step includes delivering a second ruthenium precursor and a third co-reactant to the substrate. Ruthenium-containing films are also provided. Sont ici décrits des procédés de formation de films contenant du ruthénium par dépôt de couches atomiques et/ou dépôt chimique en phase vapeur. Les procédés comprennent une première étape de formation d'un premier film sur une surface du substrat et une seconde étape de formation du film contenant du ruthénium sur au moins une partie du premier film. La première étape comprend la distribution d'un précurseur de titane et d'un premier co-réactif contenant de l'azote sur le substrat et la distribution d'un premier précurseur de ruthénium et d'un deuxième co-réactif contenant de l'azote sur le substrat pour former le premier film. La seconde étape comprend la distribution d'un second précurseur de ruthénium et d'un troisième co-réactif sur le substrat. Sont également décrits des films contenant du ruthénium.