INSPECTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND INSPECTION DEVICE FOR SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

The present invention is an inspection method for a semiconductor laser device, which inspects the semiconductor laser device in which a semiconductor laser (1), an electric field absorption-type modulator (2) to which the output of the semiconductor laser is input, and a photodetector (4) for detecting a part of the laser beam intensity of the laser beam output by the semiconductor laser are integrated, the method comprising: a step (ST1) for acquiring a transverse mode optical output characteristic, which is the relationship between the injection current of the semiconductor laser and the output of the photodetector (4); a step (ST3) for applying a reverse bias voltage to the electric field absorption-type modulator (2), and acquiring a total optical output characteristic, which is the relationship between the injection current of the semiconductor laser (1) and the optical current output by the electric field absorption-type modulator (2); and a step (ST4) for comparing the total optical output characteristic and the transverse mode optical output characteristic to determine whether or not the semiconductor laser device (100) to be inspected has a transverse mode abnormality. La présente invention concerne un procédé d'inspection d'un dispositif laser à semi-conducteur, qui inspecte le dispositif laser à semi-conducteur dans lequel un laser à semi-conducteur (1), un modulateur du type à absorption de champ électrique (2) auquel la sortie du laser à semi-conducteur est entrée, et un photodétecteur (4) servant à détecter une partie de l'intensité de faisceau laser du faisceau laser émis par le laser à semi-conducteur sont intégrés, le procédé comprenant : une étape (ST1) consistant à acquérir une caractéristique de sortie optique en mode transversal, qui est la relation entre le courant d'injection du laser à semi-conducteur et la sortie du photodétecteur (4) ; une étape (ST3) consistant à appliquer une tension de polarisation inverse au modulateur du type à absorption de champ électrique (2), et à acquérir une caractéristique de sortie optique totale, qui est la relation entre le courant d'injection du laser à semi-conducteur (1) et la sortie de courant optique par le modulateur du type à absorption de champ électrique (2) ; et une étape (ST4) consistant à comparer la caractéristique de sortie optique totale et la caractéristique de sortie optique en mode transversal pour déterminer si le dispositif laser à semi-conducteur (100) à inspecter a une anomali