METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH IMPROVED DICING PROPERTIES

A method of fabricating a semiconductor structure is disclosed. The method comprises: forming a first metal layer over a wafer; forming a second metal layer over the first metal layer; forming a first porous structure in a first region of the second metal layer located above a circuit area of the wafer and a second porous structure in a second region of the second metal layer located above a dicing area of the wafer, wherein the first porous structure includes a first set of pores, and wherein the second porous structure includes a second set of pores; forming a metal-insulator-metal stack in the first set of pores of the first porous structure; and etching the second set of pores of the second porous structure to expose the dicing area of the silicon wafer. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice. Le procédé comprend les étapes consistant à : former une première couche métallique sur une tranche ; former une seconde couche métallique sur la première couche métallique ; former une première structure poreuse dans une première région de la seconde couche métallique située au-dessus d'une zone de circuit de la tranche et une seconde structure poreuse dans une seconde région de la seconde couche métallique située au-dessus d'une zone de découpage en dés de la tranche, la première structure poreuse comprenant un premier ensemble de pores, et la seconde structure poreuse comprenant un second ensemble de pores ; former un empilement métal-isolant-métal dans le premier ensemble de pores de la première structure poreuse ; et graver le second ensemble de pores de la seconde structure poreuse pour exposer la zone de découpage en dés de la tranche de silicium.