SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELECTIVE COMMAND DELAY AND ASSOCIATED METHODS AND SYSTEMS

Memory devices, systems including memory devices, and methods of operating memory devices are described, in which memory device are configured to add variable delays to a command. The variable delays may be provided by a host device (e.g., a test equipment) using a test mode of the memory devices. Alternatively, the variable delays may be stored in nonvolatile memory (NVM) components of the memory devices. Further, mode registers of the memory devices may be set to indicate that the command is associated with the variable delays stored in the NVM components. Further, the memory devices may include delay components configured to add the variable delays to the command. Such variable delays facilitate staggered execution of the command across multiple memory devices so as to avoid (or mitigate) issues related to an instantaneous, large amount of current drawn from a power supply connected to the memory devices. Dispositifs de mémoire, systèmes comprenant des dispositifs de mémoire, et procédés de fonctionnement de dispositifs de mémoire, dans lesquels le dispositif de mémoire est configuré pour ajouter des retards variables à une commande. Les retards variables peuvent être fournis par un dispositif hôte (par exemple, un équipement de test) au moyen d'un mode de test des dispositifs de mémoire. En variante, les retards variables peuvent être stockés dans des composants de mémoire non volatile (NVM) des dispositifs de mémoire. En outre, des registres de mode des dispositifs de mémoire peuvent être réglés pour indiquer que la commande est associée aux retards variables stockés dans les composants NVM. En outre, les dispositifs de mémoire peuvent comprendre des composants de retard configurés pour ajouter les retards variables à la commande. De tels retards variables facilitent l'exécution décalée de la commande à travers de multiples dispositifs de mémoire de manière à éviter (ou à atténuer) des problèmes liés à une grande quantité de courant instantané tiré d'une alimentation électrique connectée aux dispositifs de mémoire.