ULTRA-LOW TEMPERATURE ALD TO FORM HIGH-QUALITY SI-CONTAINING FILM

Disclosed is a method for forming Si-containing films, such as SiN film, by PEALD using trisilylamine (TSA) at ultralow temperature, such as a temperature below 250°C. L'invention concerne un procédé de formation de films contenant du Si, tels qu'un film de SiN, par un PEALD à l'aide...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	GIRARD, Jean-Marc, OSHCHEPKOV, Ivan, NODA, Naoto
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Disclosed is a method for forming Si-containing films, such as SiN film, by PEALD using trisilylamine (TSA) at ultralow temperature, such as a temperature below 250°C. L'invention concerne un procédé de formation de films contenant du Si, tels qu'un film de SiN, par un PEALD à l'aide de trisilylamine (TSA) à une température ultra-basse, telle qu'une température inférieure à 250 °C.