MULTI-ZONE ELECTROSTATIC CHUCK

Exemplary semiconductor processing chambers may include a pedestal comprising a platen configured to support a semiconductor substrate across a surface of the platen. The chambers may include a first conductive mesh incorporated within the platen and configured to operate as a first chucking mesh. The first conductive mesh may extend radially across the platen. The chambers may include a second conductive mesh incorporated within the platen and configured to operate as a second chucking mesh. The second conductive mesh may be characterized by an annular shape. The second conductive mesh may be disposed between the first conductive mesh and the surface of the platen. Des chambres de traitement de semi-conducteur données à titre d'exemple peuvent comprendre un socle comprenant un plateau conçu pour supporter un substrat semi-conducteur sur une surface du plateau. Les chambres peuvent comprendre un premier treillis conducteur incorporé à l'intérieur du plateau et conçu pour fonctionner en tant que premier treillis de retenue. Le premier treillis conducteur peut s'étendre radialement sur le plateau. Les chambres peuvent comprendre un second treillis conducteur incorporé à l'intérieur du plateau et conçu pour fonctionner en tant que second treillis de retenue. Le second treillis conducteur peut être caractérisé par une forme annulaire. Le second treillis conducteur peut être disposé entre le premier treillis conducteur et la surface du plateau.