WAFER EXPOSURE METHOD USING WAFER MODELS AND WAFER FABRICATION ASSEMBLY

For a wafer exposure method, critical dimension values are obtained from wafer structures at predefined measurement sites. Position-dependent process parameters of an exposure process used for forming the wafer structures are obtained. From the critical dimension values at the measurement sites, coefficients of a preset model and at least one further model are determined. Each further model differs in at least one term from the preset model and from the other models. The models approximate the critical dimension values, the process parameters and/or correction values of the process parameters as a function of at least two position coordinates. Residuals between approximated critical dimension values obtained from the models and the critical dimension values obtained at the measurement sites are determined. Among the preset model and the at least one further model an updated model is selected. The selection is based on a criterion weighting the residuals, the number of terms of the model and/or the order or the terms of the model. Un procédé d'exposition de tranches comprend les étapes consistant à : obtenir, au niveau de sites de mesure prédéfinis, des valeurs de dimensions critiques issues de structures de tranches ; obtenir des paramètres de processus dépendant de la position d'un processus d'exposition utilisé pour former les structures de tranches ; à partir des valeurs de dimensions critiques au niveau des sites de mesure, déterminer des coefficients d'un modèle prédéfini et d'au moins un modèle supplémentaire, chaque modèle supplémentaire différant d'au moins un terme du modèle prédéfini et des autres modèles et les modèles approchant les valeurs de dimensions critiques, les paramètres de processus et/ou les valeurs de correction des paramètres de processus en fonction d'au moins deux coordonnées de position ; déterminer des restes entre des valeurs de dimensions critiques approchées obtenues à partir des modèles et les valeurs de dimensions critiques obtenues au niveau des sites de mesure ; et parmi le modèle prédéfini et ledit au moins un modèle supplémentaire, sélectionner un modèle mis à jour, la sélection étant basée sur un critère pondérant les restes, le nombre de termes du modèle et/ou l'ordre ou les termes du modèle.