PLASMA DEPOSITION APPARATUS

A plasma deposition apparatus (100) comprising: a plasma chamber (10) for plasma deposition of a chemical on a substrate (200) in the plasma chamber; a thermal energizer (20) to thermally energize the chemical prior to plasma deposition in the plasma chamber; at least one radio frequency (RF) electr...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: JAYASUNDARA, Herath Mudiyanselage Dilan Gaweshana, FERNANDO, Kurukulasooriya Merengiralalage Ranitha Prasanga, ARIYASINGHA, Muthunayaka Pathiranehelage Malindu, RATNAWEERA, Dilru Roshan, THENNAKOON, Thennakoon Mudiyanselage Manoj Pushpa Kumara, VITARANA, Ranil Keerthi, AMARASENA, Jayalath Pedige Samith Chandima, BOTHEJU, Welathanthrige Rajitha Sandaruwan
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A plasma deposition apparatus (100) comprising: a plasma chamber (10) for plasma deposition of a chemical on a substrate (200) in the plasma chamber; a thermal energizer (20) to thermally energize the chemical prior to plasma deposition in the plasma chamber; at least one radio frequency (RF) electrode (30) provided within the plasma chamber to energize by RF the thermally-energized chemical to a plasma state; and a guide screen (40) provided within the plasma chamber between the at least one RF electrode and the substrate to increase turbulence of flow of the chemical in plasma state from the at least one RF electrode to the substrate for deposition on the substrate of the chemical in plasma state with increased turbulence of flow. L'invention concerne un appareil de dépôt par plasma (100) comprenant : une chambre à plasma (10) pour le dépôt par plasma d'un produit chimique sur un substrat (200) dans la chambre à plasma ; un dispositif d'excitation thermique (20) pour exciter thermiquement le produit chimique avant le dépôt par plasma dans la chambre à plasma ; au moins une électrode radiofréquence (RF) (30) disposée à l'intérieur de la chambre à plasma pour exciter par RF le produit chimique à excitation thermique pour l'amener à l'état de plasma ; et un écran de guidage (40) disposé à l'intérieur de la chambre à plasma entre ladite ou lesdites électrodes RF et le substrat pour augmenter la turbulence de l'écoulement du produit chimique à l'état de plasma entre ladite ou lesdites électrodes RF et le substrat pour un dépôt sur le substrat du produit chimique à l'état de plasma avec une turbulence d'écoulement accrue.