ELECTROSTATIC FILTER PROVIDING REDUCED PARTICLE GENERATION
Provided herein are approaches for decreasing particle generation in an electrostatic lens. In some embodiments, an ion implantation system may include an electrostatic lens including an entrance for receiving an ion beam and an exit for delivering the ion beam towards a target, the electrostatic le...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | Provided herein are approaches for decreasing particle generation in an electrostatic lens. In some embodiments, an ion implantation system may include an electrostatic lens including an entrance for receiving an ion beam and an exit for delivering the ion beam towards a target, the electrostatic lens including a first terminal electrode, a first suppression electrode, and a first ground electrode disposed along a first side of an ion beamline, wherein the first ground electrode is grounded and positioned adjacent the exit. The electrostatic lens may further include a second terminal electrode, a second suppression electrode, and a second ground electrode disposed along a second side of the ion beamline, wherein the second ground electrode is grounded and positioned adjacent the exit. The implantation system may further include a power supply operable to supply a voltage and a current to the electrostatic lens for controlling the ion beam.
La présente invention concerne des approches destinées à réduire la génération de particules dans une lentille électrostatique. Selon des modes de réalisation, un système d'implantation d'ions peut inclure une lentille électrostatique incluant une entrée destinée à recevoir un faisceau d'ions et une sortie destinée à distribuer le faisceau d'ions vers une cible, la lentille électrostatique incluant une première électrode de borne, une première électrode de suppression, et une première électrode de masse disposées le long d'un premier côté d'une ligne de faisceau d'ions ; la première électrode de masse est connectée à la masse et positionnée de manière adjacente à la sortie. La lentille électrostatique peut inclure en outre une deuxième électrode de borne, une deuxième électrode de suppression, et une deuxième électrode de masse disposées le long d'un deuxième côté de la ligne de faisceau d'ions ; la deuxième électrode de masse est connectée à la masse et positionnée de manière adjacente à la sortie. Le système d'implantation peut inclure en outre une alimentation électrique servant à alimenter en tension et en courant la lentille électrostatique destinée à contrôler le faisceau d'ions. |
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