MEMORY BUILT-IN SELF-TEST WITH AUTOMATED MULTIPLE STEP REFERENCE TRIMMING

A memory device can sense stored data during memory read operations using a reference trim, and a memory built-in self-test system can perform a multiple step process to set the reference trim for the memory device. The memory built-in self-test system can set a reference trim range that corresponds to a range of available reference trim values and then select one of the reference trim values in the reference trim range as the reference trim for the memory device. The memory built-in self-test system can set the reference trim range by prompting performance of the memory read operations using different positions of the reference trim range relative to read characteristics of the memory device and set a position for the reference trim range relative to the read characteristics of the memory device based on failures of the memory device to correctly sense the stored data during the memory read operations. Un dispositif de mémoire peut détecter des données stockées pendant des opérations de lecture de mémoire au moyen d'un ajustement de référence, et un système d'auto-test intégré à la mémoire peut effectuer un processus à étapes multiples afin de régler l'ajustement de référence pour le dispositif de mémoire. Le système d'auto-test intégré à la mémoire peut régler une plage d'ajustement de référence qui correspond à une plage de valeurs d'ajustement de référence disponibles et ensuite sélectionner l'une des valeurs d'ajustement de référence dans la plage d'ajustement de référence en tant qu'ajustement de référence pour le dispositif de mémoire. Le système d'auto-test intégré à la mémoire peut régler la plage d'ajustement de référence en guidant les performances des opérations de lecture de mémoire au moyen de différentes positions de la plage d'ajustement de référence par rapport à des caractéristiques de lecture du dispositif de mémoire et définir une position pour la plage d'ajustement de référence par rapport aux caractéristiques de lecture du dispositif de mémoire sur la base des défaillances du dispositif de mémoire à détecter correctement les données stockées pendant les opérations de lecture de mémoire.