SEMICONDUCTOR DEVICE

This semiconductor device (1) comprises a mounting substrate (10), an adjoining cured silicone resin thin film (20) over the mounting substrate (10), and an adjoining first cured silicone resin (30) on the cured silicone resin thin film (20). In the semiconductor device (1), the oxygen content per unit area of the cured silicone resin thin film (20) over the entire range of the thickness direction is greater than the oxygen content per unit area of the first cured silicone resin. Ce dispositif à semi-conducteur (1) comprend un substrat de montage (10), un film mince de résine de silicone durcie adjacent (20) sur le substrat de montage (10), et une première résine de silicone durcie adjacente (30) sur le film mince de résine de silicone durcie (20). Dans le dispositif à semi-conducteur (1), la teneur en oxygène par unité de surface du film mince de résine de silicone durcie (20) sur toute la plage de la direction de l'épaisseur est supérieure à la teneur en oxygène par unité de surface de la première résine de silicone durcie. 半導体装置（１）は、実装基板（１０）と、実装基板（１０）上に接するシリコーン樹脂硬化物薄膜（２０）と、シリコーン樹脂硬化物薄膜（２０）に接する第１シリコーン樹脂硬化物（３０）と、を有する。半導体装置（１）において、厚み方向全域における、シリコーン樹脂硬化物薄膜（２０）の単位体積当たりの酸素含有量が、第１シリコーン樹脂硬化物（３０）の単位体積当たりの酸素含有量より多い。