METHOD OF FORMING A MONOLITHIC LIGHT EMITTING DIODE PRECURSOR

A method of forming a monolithic LED precursor is provided. The method comprises: providing a substrate having a top surface; forming a first semiconductor layer comprising a Group Ill-nitride on the top surface of the substrate; selectively masking the first semiconductor layer with a LED mask layer, the LED mask layer comprising an aperture defining a LED well through a thickness of the LED mask layer to an unmasked portion of the first semiconductor layer, the LED well comprising LED well sidewalls extending from a top surface of the first semiconductor layer to a top surface of the LED mask layer; and selectively forming a monolithic LED stack within the LED well on the unmasked portion of the first semiconductor layer. The monolithic LED stack comprises a n-type semiconductor layer comprising a Group Ill-nitride formed on the first semiconductor layer, an active layer formed on the first semiconductor layer comprising one or more quantum well sub-layers, the active layer comprising a Group Ill-nitride, and a p-type semiconductor layer comprising a Group Ill-nitride formed on the second semiconductor layer. The LED stack sidewalls of the monolithic LED stack extend from the top surface of the first semiconductor layer conform to the LED well sidewalls of the LED mask layer. Il est prévu un procédé de formation d'un précurseur de DEL monolithique. Le procédé consiste à : fournir un substrat ayant une surface supérieure ; former une première couche semi-conductrice comprenant un nitrure de groupe III sur la surface supérieure du substrat ; masquer sélectivement la première couche semi-conductrice avec une couche de masque de DEL, la couche de masque de DEL comprenant une ouverture définissant un puits de DEL à travers une épaisseur de la couche de masque de DEL vers une partie non masquée de la première couche semi-conductrice, le puits de DEL comprenant des parois latérales de puits de DEL s'étendant entre une surface supérieure de la première couche semi-conductrice et une surface supérieure de la couche de masque de DEL ; et former de manière sélective un empilement de DEL monolithiques à l'intérieur du puits de DEL sur la partie non masquée de la première couche semi-conductrice. L'empilement de DEL monolithiques comprend une couche semi-conductrice de type n comprenant un nitrure de groupe III formée sur la première couche semi-conductrice, une couche active formée sur la première couche semi-conductrice comprenant une ou plusieurs sous-couches de p