METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE

Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. For example, the method can include depositing a first layer of metal on a first substrate; depositing a second layer of metal atop the first layer of metal; depositing a third layer of metal on a second substrate; depositing a fourth layer of metal atop the third layer of metal; and bringing the second layer of material into contact with the fourth layer of material under conditions sufficient to cause the first substrate to be bonded to the second substrate by a diffusion layer formed by portions of the first layer of metal diffusing through the second layer of metal and portions of the third layer of metal diffusing through the fourth layer of metal. La présente invention concerne des procédés et un appareil permettant de traiter un substrat. Par exemple, le procédé peut consister à déposer une première couche de métal sur un premier substrat ; à déposer une deuxième couche de métal au-dessus de la première couche de métal ; à déposer une troisième couche de métal sur un second substrat ; à déposer une quatrième couche de métal au-dessus de la troisième couche métal ; et à mettre la deuxième couche de métal en contact avec la quatrième couche de métal dans des conditions suffisantes pour amener le premier substrat à être lié au second substrat par une couche de diffusion formée par des parties de la première couche de métal se diffusant à travers la deuxième de couche de métal et des parties de la troisième couche de métal se diffusant à travers la quatrième couche de métal.