COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD

The present invention provides: a composition for chemical mechanical polishing, said composition increasing the polishing rate ratio of a silicon nitride film to a silicon oxide film, while reducing the occurrence of dishing in the silicon nitride film; and a chemical mechanical polishing method.　A...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	OKAMOTO, Masashi, YAMADA, Yuuya, SUGIE, Norihiko, YOSHIO, Kouhei
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; jpn
Schlagworte:	ADHESIVES BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES DYES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS GRINDING MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE METALLURGY MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS MISCELLANEOUS COMPOSITIONS NATURAL RESINS PAINTS PERFORMING OPERATIONS POLISHES POLISHING POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH SEMICONDUCTOR DEVICES SKI WAXES TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	The present invention provides: a composition for chemical mechanical polishing, said composition increasing the polishing rate ratio of a silicon nitride film to a silicon oxide film, while reducing the occurrence of dishing in the silicon nitride film; and a chemical mechanical polishing method.　A composition for chemical mechanical polishing according to the present invention contains (A) silica abrasive grains having a functional group represented by general formula (1), and (B) a liquid medium; and the silica abrasive grains (A) satisfy the conditions (a) and (b) described below. (a) The zeta potential thereof in the composition for chemical mechanical polishing is less than -10 mV. (b) The silica abrasive grains are chained spherical grains, in each of which three or more particles are connected.　(1): -SO3 -M+ (In the formula, M+ represents a monovalent positive ion.) La présente invention concerne : une composition pour le polissage chimico-mécanique, ladite composition augmentant le rapport de la vitesse de polissage d'un film de nitrure de silicium à celle d'un film d'oxyde de silicium, tout en réduisant l'apparition de bombage dans le film de nitrure de silicium; et un procédé de polissage chimico-mécanique.　Une composition pour le polissage chimico-mécanique selon la présente invention contient (A) des grains abrasifs de silice présentant un groupe fonctionnel représenté par la formule générale (1) et (B) un milieu liquide; et les grains abrasifs de silice (A) satisfont aux conditions (a) et (b) décrites ci-dessous. (a) Le potentiel zêta dans la composition pour polissage chimico-mécanique est inférieur à -10 mV. (b) Les grains abrasifs de silice sont des grains sphériques en chaîne, dans chacun desquels trois particules ou plus sont reliées.　(1) : -SO3 -M+ (dans la formule, M+ représente un ion positif monovalent.) シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の研磨速度比を大きくするとともに、シリコン窒化膜におけるディッシングの発生を低減できる化学機械研磨用組成物、及び化学機械研磨方法を提供する。　本発明に係る化学機械研磨用組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される官能基を有するシリカ砥粒と、（Ｂ）液状媒体とを含有し、前記（Ａ）シリカ砥粒が下記条件（ａ）及び（ｂ）を満たす。（ａ）化学機械研磨用組成物中におけるゼータ電位が－１０ｍＶ未満であること。（ｂ）３つ以上の粒子が繋がって形成された連鎖球状であること。　－ＳＯ３－Ｍ＋　・・・・・（１）　（Ｍ＋は１価の陽イオンを表す。）