SEMICONDUCTOR APPARATUS

This semiconductor apparatus comprises: a first conductive-type semiconductor layer that has a main surface and includes a device region; a second conductive-type base region that is formed on the surface layer of the main surface in the device region; a first conductive-type source region that is formed on the surface layer of the base region and defining a channel region between the first conductive-type source region and the semiconductor layer; a second conductive-type base contact region that is formed on the surface layer of the base region; a first conductive-type well region that is formed on the surface payer of the main surface at a distance from the base region in the device region and defines a drift region between the first conductive-type well region and the base region; a first conductive-type drain region that is formed on the surface layer of the well region; a second conductive-type impurity region that is formed on the surface layer of the well region; and a gate structure having a gate electrode facing the channel region with a gate insulating film therebetween and electrically connected to the source region and the base contact region. L'invention concerne un appareil à semi-conducteur comprenant : une couche semi-conductrice de premier type conducteur qui a une surface principale et comprend une région de dispositif ; une région de base de second type conducteur qui est formée sur la couche de surface de la surface principale dans la région de dispositif ; une région de source de premier type conducteur qui est formée sur la couche de surface de la région de base et définit une région de canal entre la région de source de premier type conducteur et la couche de semi-conducteur ; une région de contact de base de second type conducteur qui est formée sur la couche de surface de la région de base ; une région de puits de premier type conducteur qui est formée sur le payeur de surface de la surface principale à une distance de la région de base dans la région de dispositif et définit une région de dérive entre la région de puits de premier type conducteur et la région de base ; une région de drain de premier type conducteur qui est formée sur la couche de surface de la région de puits ; une région d'impureté de second type conducteur qui est formée sur la couche de surface de la région de puits ; et une structure de grille ayant une électrode de grille faisant face à la région de canal avec un film d'isolation de grille entre celles-ci et