ETCHING DEVICE FOR SILICON CORE WIRE AND ETCHING METHOD FOR SILICON CORE WIRE

Provided is a device capable of uniformly etching the entire surface of a silicon core wire. An etching device (1) for silicon core wires (C1, C2, C3) is provided with: etching solution tanks (11, 12) for holding etching solutions (L1, L2); multiple core wire support members (31), which are for supporting the silicon core wires (C1, C2, C3) and which have a hole (31A) through which the silicon core wires (C1, C2, C3) pass; and a position-changing mechanism (40) that changes the relative position at which the silicon core wires (C1, C2, C3) pass through the hole (31A). La présente invention concerne un dispositif apte à graver de manière uniforme la surface entière d'un fil à cœur de silicium. Un dispositif de gravure (1) pour fils à cœur de silicium (C1, C2, C3) est pourvu : de cuves de solution de gravure (11, 12) pour contenir les solutions de gravure (L1, L2) ; de multiples éléments formant support de fil à cœur (31), qui servent à tenir les fils à cœur de silicium (C1, C2, C3) et qui présentent un trou (31A) à travers lequel les fils à cœur de silicium (C1, C2, C3) passent ; et un mécanisme de changement de position (40) qui change la position relative à laquelle les fils à cœur de silicium (C1, C2, C3) passent à travers le trou (31A). シリコン芯線の表面全体を均一にエッチングできる装置を提供する。シリコン芯線（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）のエッチング装置（１）は、エッチング液（Ｌ１、Ｌ２）を収容するエッチング液槽（１１、１２）と、シリコン芯線（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）が貫通する孔（３１Ａ）が形成され、シリコン芯線（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を支持する複数の芯線支持部材（３１）と、孔（３１Ａ）に対してシリコン芯線（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）が貫通する相対位置を変化させる位置変化機構（４０）と、を備える。