TRENCH CAPACITOR AND TRENCH CAPACITOR PRODUCTION METHOD

Provided are a trench capacitor and a trench capacitor production method which can achieve a reduction in the equivalent series resistance. This trench capacitor 1 is provided with: a base material 10 which has a trench 11 extending in the vertical direction from a top surface 10a; and an MIM structure 20 which has a plurality of conductive layers (lower electrode layer 22 and upper electrode layer 23) and a dielectric layer 21 sandwiched between the plurality of conductive layers. The plurality of conductive layers each have a first portion 22R1, 23R1 that is located outside the trench 11 and extends along the top surface 10a, and a second portion 22R2, 23R2 that is located inside the trench 11 and extends along the wall surfaces 13 of the trench 11. The thickness 23T1 of the first portion 23R1 of the upper electrode layer 23 is greater than the thickness 23T2 of the second portion 23R2 of the upper electrode layer 23. L'invention concerne un condensateur de tranchée et un procédé de production de condensateur de tranchée qui permettent d'obtenir une réduction de la résistance série équivalente. Ce condensateur de tranchée 1 : un matériau de base 10 qui a une tranchée 11 s'étendant dans la direction verticale à partir d'une surface supérieure 10a ; et une structure MIM 20 qui a une pluralité de couches conductrices (couche d'électrode inférieure 22 et couche d'électrode supérieure 23) et une couche diélectrique 21 prise en sandwich entre la pluralité de couches conductrices. La pluralité de couches conductrices ont chacune une première partie 22R1, 23R1 qui est située à l'extérieur de la tranchée 11 et s'étend le long de la surface supérieure 10a, et une seconde partie 22R2, 23R2 qui est située à l'intérieur de la tranchée 11 et s'étend le long des surfaces de paroi 13 de la tranchée 11. L'épaisseur 23T1 de la première partie 23R1 de la couche d'électrode supérieure 23 est supérieure à l'épaisseur 23T2 de la seconde partie 23R2 de la couche d'électrode supérieure 23. 等価直列抵抗の低下を図ることが可能なトレンチキャパシタ及びトレンチキャパシタの製造方法を提供する。トレンチキャパシタ１は、上下方向に沿って上面１０ａから延びるトレンチ１１を有する基材１０と、複数の導電層（下部電極層２２及び上部電極層２３）及び複数の導電層に挟まれた誘電体層２１を有するＭＩＭ構造体２０と、を備え、複数の導電層のそれぞれは、トレンチ１１外に位置すると共に上面１０ａに沿って延びる第１部分２２Ｒ１，２３Ｒ１と、トレンチ１１内に位置すると共にトレンチ１１の壁面１３に沿って延びる第２部分２２Ｒ２，２３Ｒ２と、を有し、上部電極層２３の第１部分２３Ｒ１の厚さ２３Ｔ１は、当該上部電極層２３の第２部分２３Ｒ２の厚さ２３Ｔ２より大きい。