SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device, comprises a semiconductor body (100) comprising a first surface (101), a second surface (102) opposite to the first surface (101) in a vertical direction (y), an edge termination region (210), and an active region (220) arranged adjacent to the edge termination region (210) in a horizontal direction. The semiconductor device further comprises a plurality of transistor cells (30) at least partly integrated in the active region (220), each transistor cell (30) comprising a source region (31), a body region (32), and a drift region (35) separated from the source region (31) by the body region (32). The semiconductor device further comprises a gate electrode (33) arranged in the active region (220) and dielectrically insulated from the body regions (32) of the plurality of transistor cells (30), a circumferential electrically conducting layer (60) arranged above the first surface (101) and in the edge termination region (210), and a gate pad (46) electrically coupled to the electrically conductive layer (60). The gate pad (46) partially covers the electrically conducting layer (60), the electrically conducting layer (60) extends around and electrically contacts the gate electrode (33), and a contact between the electrically conductive layer (60) and the gate electrode (33) is completely interrupted along the section of the electrically conductive layer (60) that is covered by the gate pad (46). L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui comprend un corps semi-conducteur (100) comprenant une première surface (101), une seconde surface (102) opposée à la première surface (101) dans une direction verticale (y), une région de terminaison de bord (210), et une région active (220) disposée de manière adjacente à la région de terminaison de bord (210) dans une direction horizontale. Le dispositif à semi-conducteurs comprend en outre une pluralité de cellules de transistor (30) au moins partiellement intégrées à la zone active (220), chaque cellule de transistor (30) comprenant une région de source (31), une région de corps (32), et une région de dérive (35) séparée de la région de source (31) par la région de corps (32). Le dispositif à semi-conducteurs comprend en outre une électrode de grille (33) disposée dans la zone active (220) et isolée diélectriquement des régions de corps (32) de la pluralité de cellules de transistor (30), une couche électroconductrice circonférentielle (60) disposée au-dessus de la première surface (1