METHOD FOR CALIBRATING VERTICALITY OF PARTICLE BEAM AND SYSTEM APPLIED TO SEMICONDUCTOR FABRICATION PROCESS

The present invention provides a method for calibrating verticality of a particle beam. The method includes: providing a baseplate having a first sensor and a second sensor; emitting the particle beam to the first sensor of the baseplate from an emitter, such that a first datum is collected when the first sensor receives the particle beam; emitting the particle beam to the second sensor of the baseplate from the emitter, such that a second datum is collected when the second sensor receives the particle beam; calculating a first calibrating datum based on the first datum and the second datum; and adjusting the baseplate or the emitter based on the first calibrating datum if the first calibrating datum is out of a first predetermined range. La présente invention concerne un procédé d'étalonnage de la verticalité d'un faisceau de particules. Le procédé comprend les étapes consistant à : fournir une plaque de base ayant un premier capteur et un second capteur; émettre le faisceau de particules vers le premier capteur de la plaque de base à partir d'un émetteur, de telle sorte qu'une première donnée est collectée lorsque le premier capteur reçoit le faisceau de particules; émettre le faisceau de particules vers le second capteur de la plaque de base à partir de l'émetteur, de telle sorte qu'une seconde donnée est collectée lorsque le second capteur reçoit le faisceau de particules; calculer une première donnée d'étalonnage sur la base de la première donnée et de la seconde donnée; et régler la plaque de base ou l'émetteur sur la base de la première donnée d'étalonnage si la première donnée d'étalonnage est située à l'extérieur d'une première plage prédéfinie.