RADIATION DETECTOR, METHOD OF OPERATING RADIATION DETECTOR, AND METHOD OF FABRICATING RADIATION DETECTOR

A radiation detector having a plurality of pixels is provided. A respective one of the plurality of pixels includes a base substrate(BS); a thin film transistor(TFT) on the base substrate(BS); an insulating layer(IN) on a side of the thin film transistor(TFT) away from the base substrate(BS); a phot...

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Hauptverfasser: SU, Jingjie, KONG, Dexi, DING, Zhi, CHUNG, Kunjing, ZHAN, Xiangmi, ZHANG, Guan, HOU, Xuecheng, XIA, Huinan
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A radiation detector having a plurality of pixels is provided. A respective one of the plurality of pixels includes a base substrate(BS); a thin film transistor(TFT) on the base substrate(BS); an insulating layer(IN) on a side of the thin film transistor(TFT) away from the base substrate(BS); a photosensor(PS) on a side of the insulating layer(IN) away from the base substrate(BS); a passivation layer(PVX) on a side of the photosensor(PS) away from the base substrate(BS); a scintillation layer(ST) on a side of the passivation layer(PVX) away from the base substrate(BS); and a reflective layer(RT) on a side of the scintillation layer(ST) away from the base substrate(BS). The photosensor(PS) includes a first polarity layer(PR1) in direct contact with the passivation layer(PVX). All sides of the first polarity layer(PR1) other than a side internal to the photosensor(PS) are entirely in direct contact with the passivation layer(PVX). L'invention concerne un détecteur de rayonnement présentant une pluralité de pixels. Un pixel respectif de la pluralité de pixels comprend : un substrat de base (BS) ; un transistor à couches minces (TFT) sur le substrat de base (BS) ; une couche isolante (IN) sur un côté du transistor à couches minces (TFT), à l'opposé du substrat de base (BS)) ; un photocapteur (PS) sur un côté de la couche isolante (IN) à l'opposé du substrat de base (BS)) ; une couche de passivation (PVX) sur un côté du photocapteur (PS) à l'opposé du substrat de base (BS)) ; une couche de scintillation (ST) sur un côté de la couche de passivation (PVX)) à l'opposé du substrat de base (BS) ; et une couche réfléchissante (RT) sur un côté de la couche de scintillation (ST) à l'opposé du substrat de base (BS). Le photocapteur (PS) comprend une première couche de polarité (PR1) en contact direct avec la couche de passivation (PVX). Tous les côtés de la première couche de polarité (PR1) autre qu'un côté interne au photocapteur (PS) sont entièrement en contact direct avec la couche de passivation (PVX).