PROCESS TO IMPROVE INTERFACE STATE DENSITY DIT ON DEEP TRENCH ISOLATION (DTI) FOR CMOS IMAGE SENSOR

Embodiments disclosed herein include CMOS image sensors and methods of forming such devices. In an embodiment, a method of forming a CMOS image sensor comprises pressurizing a chamber with a gas comprising hydrogen, and annealing a substrate in the pressurized chamber. In an embodiment the substrate comprises the CMOS image sensor. In an embodiment, the CMOS image sensor comprises a semiconductor body and a trench around a perimeter the semiconductor body, wherein the trench is filled with a high-k oxide that directly contacts the semiconductor body. In an embodiment, the method further comprises, depressurizing the chamber. Des modes de réalisation de l'invention comprennent des capteurs d'image CMOS et des procédés de formation de tels dispositifs. Dans un mode de réalisation, un procédé de formation d'un capteur d'image CMOS comprend la mise sous pression d'une chambre avec un gaz comprenant de l'hydrogène, et le recuit d'un substrat dans la chambre sous pression. Dans un mode de réalisation, le substrat comprend le capteur d'image CMOS. Dans un mode de réalisation, le capteur d'image CMOS comprend un corps semi-conducteur et une tranchée autour d'un périmètre du corps semi-conducteur, la tranchée étant remplie d'un oxyde à k élevé qui vient directement en contact avec le corps semi-conducteur. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre la dépressurisation de la chambre.