GAP FILL DEPOSITION PROCESS

Methods for forming an interconnections structure on a substrate in a cluster processing system and thermal processing such interconnections structure are provided. In one embodiment, a method for a device structure for semiconductor devices includes forming a barrier layer in an opening formed in a material layer disposed on a substrate, forming an interface layer on the barrier layer, forming a gap filling layer on the interface layer, and performing an annealing process on the substrate, wherein the annealing process is performed at a pressure range greater than 5 bar. Procédés de formation d'une structure d'interconnexions sur un substrat dans un système de traitement en grappe et de traitement thermique de telles structures d'interconnexions. Dans un mode de réalisation, un procédé pour une structure de dispositif pour des dispositifs à semi-conducteur comprend la formation d'une couche barrière dans une ouverture formée dans une couche de matériau disposée sur un substrat, la formation d'une couche d'interface sur la couche barrière, la formation d'une couche de remplissage d'espace sur la couche d'interface, et la réalisation d'un processus de recuit sur le substrat, le processus de recuit étant effectué à une plage de pression supérieure à 5 bars.