FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FET) BASED SYNCHRONOUS RECTIFIER FOR EMULATING DIODE
A field-effect transistor (FET) based synchronous rectifier for emulating a diode, comprising: a first terminal (20) and a second terminal (30); a first FET (M1) and a second FET (M2), wherein the second FET (M2) is adapted to control operation of the first FET (M1) to thereby allow unidirectional c...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A field-effect transistor (FET) based synchronous rectifier for emulating a diode, comprising: a first terminal (20) and a second terminal (30); a first FET (M1) and a second FET (M2), wherein the second FET (M2) is adapted to control operation of the first FET (M1) to thereby allow unidirectional current flow when the two terminals (20, 30) are connected with an external circuit; and wherein the FET based synchronous rectifier comprises a fully integrated single-chip device (10) adapted to emulate a diode.
La présente invention concerne un redresseur synchrone basé sur un transistor à effet de champ (FET) pour émuler une diode, comprenant : une première borne (20) et une seconde borne (30) ; un premier FET (M1) et un second FET (M2), le second FET (M2) étant conçu pour commander le fonctionnement du premier FET (M1) pour ainsi permettre un écoulement de courant unidirectionnel lorsque les deux bornes (20, 30) sont connectées à un circuit externe ; et le redresseur synchrone à base de FET comprenant un dispositif monopuce entièrement intégré (10) conçu pour émuler une diode. |
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