SEMICONDUCTOR LASER DEVICE STRUCTURES AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Semiconductor device structures comprising laser diode cavities with at least one of a mode-selective filter and a phase-alignment element, and methods for their fabrication, are disclosed. An example device structure comprises a surface-etched grating distributed-feedback (SEG DFB) laser with a mode-selective reflector structure. The reflector structure is designed to provide higher feedback of the fundamental TE0 mode and suppression of higher order mode effects. The reflector structure may be a single interface (single facet) mirror type reflector comprising a spatially patterned reflector, or a multi-interface distributed Bragg reflector (DBR). A phase alignment element may be included to provide precise optical phase control. A photodetector for back-facet power monitoring may be included. A method of fabrication is disclosed, based on a self-aligned process in which DBR features are included on the same mask that is used for the DFB laser grating. L'invention concerne des structures de dispositif à semi-conducteur comprenant des cavités de diode laser ayant un filtre à sélection de mode et/ou un élément d'alignement de phase, et des procédés pour leur fabrication. Une structure de dispositif donné à titre d'exemple comprend un laser à rétroaction répartie à réseau gravé en surface (SEG DFB) ayant une structure de réflecteur à sélection de mode. La structure de réflecteur est conçue pour fournir une rétroaction plus élevée du mode TE0 fondamental et une suppression des effets de mode d'ordre supérieur. La structure de réflecteur peut être un réflecteur de type miroir à interface unique (à facette unique) comprenant un réflecteur à motif spatial, ou un réflecteur de Bragg distribué (DBR) à interfaces multiples. Un élément d'alignement de phase peut être inclus pour fournir une commande de phase optique précise. Un photodétecteur pour une surveillance de puissance de facette arrière peut être inclus. Un procédé de fabrication basé sur un procédé auto-aligné dans lequel des caractéristiques de DBR sont incluses sur le même masque qui est utilisé pour le réseau laser DFB est également divulgué.