SELECTIVE GRAPHENE DEPOSITION USING REMOTE PLASMA

Graphene is deposited on a metal surface of a substrate using a remote hydrogen plasma chemical vapor deposition technique. The graphene may be deposited at temperatures below 400C, which is suitable for semiconductor processing applications. Hydrogen radicals are generated in a remote plasma source located upstream of a reaction chamber, and hydrocarbon precursors are flowed into the reaction chamber downstream from the remote plasma source. The hydrocarbon precursors are activated by the hydrogen radicals under conditions to deposit graphene on the metal surface of the substrate in the reaction chamber. Du graphène est déposé sur une surface métallique d'un substrat à l'aide d'une technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à distance. Le graphène peut être déposé à des températures inférieures à 400°C, ce qui est approprié pour des applications de traitement de semi-conducteurs. Des radicaux d'hydrogène sont générés dans une source de plasma à distance située en amont d'une chambre de réaction, et des précurseurs d'hydrocarbures sont introduits dans la chambre de réaction en aval de la source de plasma à distance. Les précurseurs d'hydrocarbures sont activés par les radicaux hydrogène dans des conditions pour déposer du graphène sur la surface métallique du substrat dans la chambre de réaction.