METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE THEREOF

A method of fabricating a semiconductor device (200) is described. According to a described embodiment, the method comprises: (i) forming a lll-V semiconductor material layer (206) comprising a substrate layer (208) and a device layer (210) attached to the substrate layer (208); and (ii) forming an...

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Hauptverfasser:	LEE, Kenneth Eng Kian, SINGAPOREWALA, Fayyaz Moiz, FITZGERALD, Eugene A, NG, Cheng Yeow
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A method of fabricating a semiconductor device (200) is described. According to a described embodiment, the method comprises: (i) forming a lll-V semiconductor material layer (206) comprising a substrate layer (208) and a device layer (210) attached to the substrate layer (208); and (ii) forming an electrically conductive interlayer (228) to the device layer (210) prior to bonding the electrically conductive interlayer (228) to a partially processed CMOS device layer (204) having at least one transistor (205). L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. Selon un mode de réalisation décrit, le procédé comprend : (i) la formation d'une couche de matériau semi-conducteur III-V (206) comprenant une couche de substrat (208) et une couche de dispositif (210) fixée à la couche de substrat (208); et (ii) la formation d'une couche intermédiaire électroconductrice (228) sur la couche de dispositif (210) avant la liaison de l'intercouche électriquement conductrice (228) à une couche de dispositif CMOS (204) partiellement traitée ayant au moins un transistor (205).