QUANTUM WELL FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

A quantum well field-effect transistor (QWFET) includes a barrier layer, a quantum well layer, and a spacer layer. The quantum well layer is on the barrier layer. The barrier layer and the spacer layer comprise aluminum indium antimonide that is undoped. The quantum well layer comprises indium antimonide. The spacer layer is on the quantum well layer. The quantum well layer and the spacer layer are between a source contact and a drain contact. A gate contact is on a dielectric layer, which is on the spacer layer. By providing the barrier layer and the spacer layer as undoped layers, a performance of the QWFET may be improved. L'invention concerne un transistor à effet de champ à puits quantique (QWFET) qui inclut une couche de barrière, une couche de puits quantique, et une couche d'entretoise. La couche de puits quantique est sur la couche de barrière. La couche de barrière et la couche d'entretoise comprennent de l'antimoniure d'aluminium et d'indium qui n'est pas dopé. La couche de points quantique comprend de l'antimoniure d'indium. La couche d'entretoise est sur la couche de puits quantique. La couche de puits quantique et la couche d'entretoise sont entre un contact de source et un contact de drain. Un contact de grille est sur une couche diélectrique, laquelle est sur la couche d'entretoise. En réalisant la couche de barrière et la couche d'entretoise sous forme de couches non dopées, une performance du QWFET peut être améliorée.