MEMORY ARRAY WITH CONTINUOUS DIFFUSION FOR BIT-CELLS AND SUPPORT CIRCUITRY

Memory array circuitry includes a semiconductor substrate, a continuous diffusion in the semiconductor substrate, memory bit-cell circuitry, and support circuitry for the memory bit-cell circuitry. The continuous diffusion is a contiguous doped region of the semiconductor substrate. The memory bit-cell circuitry includes a bit-cell transistor formed on the continuous diffusion. The support circuitry includes a support transistor also formed on the continuous diffusion. By including both a bit-cell transistor and a support transistor on the same continuous diffusion, the necessary isolation between the bit-cell circuitry and the support circuitry may be reduced and the bit-cell transistor and the support transistor may have reduced length of diffusion (LOD) effects. Ensemble de circuits de matrice de mémoire comprenant un substrat semi-conducteur, une diffusion continue dans le substrat semi-conducteur, un ensemble de circuits de cellules binaires de mémoire et un ensemble de circuits de support pour l'ensemble de circuits de cellules binaires de mémoire. La diffusion continue est une région dopée contiguë du substrat semi-conducteur. L'ensemble de circuits de cellules binaires de mémoire comprend un transistor de cellules binaires formé sur la diffusion continue. L'ensemble de circuits de support comprend un transistor de support également formé sur la diffusion continue. En incluant à la fois un transistor de cellules binaires et un transistor de support sur la même diffusion continue, l'isolation nécessaire entre l'ensemble de circuits de cellules binaires et l'ensemble de circuits de support peut être réduite et le transistor de cellules binaires et le transistor de support peuvent avoir des effets de longueur de diffusion (LOD) réduits.