MEMORY ARRAYS AND METHODS USED IN FORMING A MEMORY ARRAY COMPRISING STRINGS OF MEMORY CELLS

A memory array comprising strings of memory cells comprises laterally-spaced memory blocks individually comprising a vertical stack comprising alternating insulative tiers and conductive tiers. Operative channel-material strings of memory cells extend through the insulative tiers and the conductive tiers. Insulative pillars are laterally-between and longitudinally-spaced-along immediately-laterally-adjacent of the memory blocks. The pillars are directly against conducting material of conductive lines in the conductive tiers. Other arrays, and methods, are disclosed. La présente invention concerne une matrice mémoire comprenant des chaînes de cellules de mémoire comprenant des blocs de mémoire espacés latéralement comprenant individuellement un empilement vertical comprenant des niveaux isolants alternés et des niveaux conducteurs. Des chaînes de matériau de canal opérationnel de cellules de mémoire s'étendent à travers les étages isolants et les étages conducteurs. Des piliers isolants sont disposés latéralement et espacés longitudinalement le long de côtés immédiatement adjacents des blocs de mémoire. Les piliers sont directement contre le matériau conducteur de lignes conductrices dans les étages conducteurs. L'invention concerne également d'autres matrices et procédés.