PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE

Die Erfindung betrifft eine photovoltaische Solarzelle, mit zumindest einer Halbleiterschicht mit einer Kontaktierungsseite, an welcher ein oder mehrere Basisbereiche eines Basisdotierungstyps und ein oder mehrere Emitterbereiche eines zu dem Basistyp entgegengesetzten Emitterdotierungstyps ausgebildet sind und mit einer Mehrzahl an der Kontaktierungsseite der Halbleiterschicht angeordneter metallischer Kontaktstrukturen, wobei die Mehrzahl von Kontaktstrukturen in zwei Gruppen von Kontaktstrukturen entgegengesetzter Polarität unterteilt ist, mit einer Gruppe einer ersten Polarität, welche eine Mehrzahl von Basiskontakt-strukturen aufweist, die jeweils mit zumindesteinem Basisbereich elektrisch leitend verbunden sind, und einer zweiten Gruppe einer zweiten, zu der ersten entgegengesetzten Polarität, welche eine Mehrzahl von Emitterkontaktstrukturen aufweist, die jeweils mit zumindest einem Emitterbereich elektrisch leitend verbunden sind. The invention relates to a photovoltaic solar cell, comprising at least one semiconductor layer having a contacting side, at which one or more base regions of a base doping type and one or more emitter regions of an emitter doping type opposite to the base type are formed, and comprising a plurality of metallic contact structures arranged at the contacting side of the semiconductor layer, wherein the plurality of contact structures is subdivided into two groups of contact structures of opposite polarities, comprising a group of a first polarity, having a plurality of base contact structures, each of which is electrically conductively connected to at least one base region, and a second group of a second polarity opposite to the first polarity, having a plurality of emitter contact structures, each of which is electrically conductively connected to at least one emitter region. L'invention concerne une cellule solaire photovoltaïque, comprenant au moins une couche semi-conductrice ayant un côté de mise en contact, au niveau duquel une ou plusieurs régions de base d'un type de dopage de base et une ou plusieurs régions d'émetteur d'un type de dopage d'émetteur opposé au type de base sont formées, et comprenant une pluralité de structures de contact métalliques disposées au niveau du côté de contact de la couche semi-conductrice, la pluralité de structures de contact étant subdivisées en deux groupes de structures de contact de polarités opposées, comprenant un groupe d'une première polarité, ayant une pluralité de structures