MICROELECTRONIC DEVICES INCLUDING AN OXIDE MATERIAL BETWEEN ADJACENT DECKS, ELECTRONIC SYSTEMS, AND RELATED METHODS

A microelectronic device includes decks comprising alternating levels of a conductive material and an insulative material, the decks comprising pillars including a channel material extending through the alternating levels of the conductive material and the insulative material, a conductive contact between adjacent decks and in electrical communication with the channel material of the adjacent decks, and an oxide material between the adjacent decks, the oxide material extending between an uppermost level of a first deck and a lowermost level of a second deck adjacent to the first deck. Related electronic systems and methods of forming the microelectronic device and electronic systems are also disclosed. L'invention concerne un dispositif microélectronique comprenant des ponts comprenant des niveaux alternés d'un matériau conducteur et d'un matériau isolant, les ponts comprenant des colonnes comprenant un matériau de canal s'étendant à travers les niveaux alternés du matériau conducteur et du matériau isolant, un contact conducteur entre des ponts adjacents et en communication électrique avec le matériau de canal des ponts adjacents, et un matériau d'oxyde entre les ponts adjacents, le matériau d'oxyde s'étendant entre un niveau le plus élevé d'un premier pont et un niveau le plus bas d'un second pont adjacent au premier pont. L'invention concerne également des systèmes électroniques et des procédés associés de formation du dispositif microélectronique et des systèmes électroniques.