CHAMBER CONFIGURATIONS FOR CONTROLLED DEPOSITION

Exemplary semiconductor processing chambers may include a showerhead. The chambers may also include a substrate support characterized by a first surface facing the showerhead. The first surface may be configured to support a semiconductor substrate. The substrate support may define a recessed pocket centrally located within the first surface. The recessed pocket may be defined by an outer radial wall characterized by a height from the first surface within the recessed pocket that is greater than or about 150% of a thickness of the semiconductor substrate. L'invention concerne des chambres de traitement de semi-conducteurs qui, par exemple, peuvent comprendre une pomme de douche. Les chambres peuvent également comprendre un support de substrat caractérisé par une première surface faisant face à la pomme de douche. La première surface peut être configurée pour supporter un substrat semi-conducteur. Le support de substrat peut délimiter une poche en retrait située de façon centrale à l'intérieur de la première surface. La poche en retrait peut être délimitée par une paroi radiale externe caractérisée par une hauteur à partir de la première surface à l'intérieur de la poche en retrait qui est supérieure ou égale à environ 150 % d'une épaisseur du substrat semi-conducteur.