NON-CONFORMAL HIGH SELECTIVITY FILM FOR ETCH CRITICAL DIMENSION CONTROL

A non-conformal, highly selective liner for etch methods in semiconductor devices is described. A method comprises forming a film stack on a substrate; etching the film stack to form an opening; depositing a non-conformal liner in the opening; etching the non-conformal liner from the bottom of the opening; and selectively etching the film stack relative to the non-conformal liner to form a logic or memory hole. The non-conformal liner comprises one or more of boron, carbon, or nitrogen. L'invention concerne un revêtement hautement sélectif et non conforme pour des procédés de gravure dans des dispositifs à semi-conducteur. Un procédé comprend la formation d'un empilement de films sur un substrat ; la gravure de la pile de films pour former une ouverture ; le dépôt d'un revêtement non conforme dans l'ouverture ; la gravure du revêtement non conforme à partir du fond de l'ouverture ; et la gravure sélective de l'empilement de films par rapport au revêtement non conforme pour former un trou logique ou de mémoire. Le revêtement non conforme comprend un ou plusieurs éléments parmi le bore, le carbone ou l'azote.