TRANSISTOR AND METHODS OF FORMING TRANSISTORS
A transistor comprises a top source/drain region, a bottom source/drain region, a channel region vertically between the top and bottom source/drain regions, and a gate operatively laterally -adjacent the channel region. An upper material is directly above a lower material. The upper material is in a...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A transistor comprises a top source/drain region, a bottom source/drain region, a channel region vertically between the top and bottom source/drain regions, and a gate operatively laterally -adjacent the channel region. An upper material is directly above a lower material. The upper material is in at least one of the top source/drain region, the bottom source/drain region, and the channel region. The lower material is in at least one of the top source/drain region, the bottom source/drain region, and the channel region. The upper material comprises 1 atomic percent to 10 atomic percent elemental -form H and 0 total atomic percent to less than 0.1 total atomic percent of one or more noble elements. The lower material comprises 0 atomic percent to less than 1 atomic percent elemental-form H and 0.1 total atomic percent to 10 total atomic percent of one or more noble elements. Other embodiments, including method, are disclosed.
L'invention concerne un transistor comprenant une région de source/drain supérieure, une région de source/drain inférieure, une région de canal verticalement entre les régions de source/drain inférieure et supérieure, et une grille fonctionnellement adjacente latéralement à la région de canal. Un matériau supérieur est directement au-dessus d'un matériau inférieur. Le matériau supérieur est dans au moins l'une de la région de source/drain supérieure, de la région de source/drain inférieure et de la région de canal. Le matériau inférieur se trouve dans au moins l'une de la région de source/drain supérieure, de la région de source/drain inférieure et de la région de canal. Le matériau supérieur comprend 1 pour cent atomique à 10 pour cent atomique de H et 0 pour cent atomique total à moins de 0,1 pour cent atomique d'un ou de plusieurs éléments nobles. Le matériau inférieur comprend 0 pour cent atomique à moins de 1 pour cent atomique de la forme élémentaire H et 0,1 pour cent atomique total à 10 pour cent atomique d'un ou de plusieurs éléments nobles. L'invention concerne d'autres modes de réalisation, y compris des procédés. |
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