OPTOELECTRONIC COMPONENT

Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, das zumindest einen Halbleiteremitter (10) umfasst, der einen zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs eingerichteten aktiven Bereich (100) aufweist. Ferner umfasst das optoelektronische Bauelement (1) z...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SPRENGER, Dennis, LANKES, Simon
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, das zumindest einen Halbleiteremitter (10) umfasst, der einen zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs eingerichteten aktiven Bereich (100) aufweist. Ferner umfasst das optoelektronische Bauelement (1) zumindest eine Wellenlängenkonversionsplatte (20), die eine Auskoppelfläche (20A) und eine seitlich zu dieser angeordnete quer zu dieser ausgerichtete Seitenfläche (20B) aufweist, und einen Träger (30), auf dem der Halbleiteremitter (10) und die Wellenlängenkonversionsplatte (20) angeordnet sind. Die Auskoppelfläche (20A) ist von dem Träger (30) abgewandt. Der Halbleiteremitter (10) ist dazu eingerichtet, die Wellenlängenkonversionsplatte (20) an der Seitenfläche (20B) mit elektromagnetischer Strahlung zu bestrahlen. Die Wellenlängenkonversionsplatte (20) ist dazu eingerichtet eine Mischstrahlung, umfassend zumindest einen Teil der Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs und eine konvertierte Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs, aus der Auskoppelfläche (20A) zu emittieren. The invention relates to an optoelectronic component (1), comprising at least one semiconductor emitter (10) having an active region (100) designed for emitting electromagnetic radiation of a first wavelength range. The optoelectronic component (1) also comprises at least one wavelength conversion plate (20), having a decoupling surface (20A) and a lateral surface (20B) arranged laterally to same and orientated transverse to same, as well as a substrate (30) on which the semiconductor emitter (10) and the wavelength conversion plate (20) are arranged. The decoupling surface (20A) is facing away from the substrate (30). The semiconductor emitter (10) is designed to irradiate the wavelength conversion plate (20) with electromagnetic radiation on the lateral surface (20B). The wavelength conversion plate (20) is designed to emit a mixed radiation out of the decoupling surface (20A), said mixed radiation comprising at least one portion of the radiation of the first wavelength range and a converted radiation of a second wavelength range. Composant optoélectronique (1), comprenant au moins un émetteur à semi-conducteur (10) présentant une région active (100) conçue pour émettre un rayonnement électromagnétique d'une première plage de longueurs d'onde. Le composant optoélectronique (1) comprend également au moins une plaque de conversion de longueur d'onde (20) présentant une surface de déc