MODIFIED STACKS FOR 3D NAND

Exemplary methods of forming semiconductor structures may include forming a silicon oxide layer from a silicon-containing precursor and an oxygen-containing precursor. The methods may include forming a silicon nitride layer from a silicon-containing precursor, a nitrogen-containing precursor, and an oxygen-containing precursor. The silicon nitride layer may be characterized by an oxygen concentration greater than or about 5 at.%. The methods may also include repeating the forming a silicon oxide layer and the forming a silicon nitride layer to produce a stack of alternating layers of silicon oxide and silicon nitride. La présente invention concerne des procédés de formation de structures semi-conductrices donnés à titre d'exemple qui peuvent comprendre la formation d'une couche d'oxyde de silicium à partir d'un précurseur contenant du silicium et d'un précurseur contenant de l'oxygène. Les procédés peuvent comprendre la formation d'une couche de nitrure de silicium à partir d'un précurseur contenant du silicium, d'un précurseur contenant de l'azote et d'un précurseur contenant de l'oxygène. La couche de nitrure de silicium peut être caractérisée par une concentration en oxygène supérieure ou égale à environ 5 %. Les procédés peuvent également comprendre la répétition de la formation d'une couche d'oxyde de silicium et de la formation d'une couche de nitrure de silicium pour produire un empilement de couches d'oxyde de silicium et de nitrure de silicium en alternance.