PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

In the present invention an interdigitated back contact (IBC) photovoltaic device is disclosed and comprises a first patterned silicon layer (2) situated on an intrinsic layer (5), and having the same type of doping as the one of said substrate (3). First charge collection portions (21) are deposited on predetermined areas of the intrinsic layer (5), and comprise each an amorphous layer portion (2a) situated between said predetermined areas and said at least partially nano-crystalline layer portions (2b). The amorphous layer portions (2a) have a larger width than the width of the nano-crystalline layer portions (2b). On top if the first patterned silicon layer (2), a second nano-crystalline silicon layer (4) is deposited that has a doping of a second type being the other of the p-type doping or the n-type doping with respect to the doping-type of said first patterned silicon layer (2). La présente invention concerne un dispositif photovoltaïque de contact arrière interdigité (IBC) comprenant une première couche de silicium à motifs (2) située sur une couche intrinsèque (5), et ayant le même type de dopage que celui dudit substrat (3). Des premières parties de collecte de charge (21) sont déposées sur des zones prédéterminées de la couche intrinsèque (5), et comprennent chacune une partie de couche amorphe (2a) située entre lesdites zones prédéterminées et lesdites parties de couche au moins partiellement nanocristalline (2b). Les parties de couche amorphe (2a) ont une largeur supérieure à la largeur des parties de couche nanocristalline (2b). Sur le dessus de la première couche de silicium à motifs (2), une seconde couche de silicium nanocristallin (4) est déposée, qui a un dopage d'un second type qui est l'autre du dopage de type p ou du dopage de type n par rapport au type de dopage de ladite première couche de silicium à motifs (2).