HIGH-CURRENT ION IMPLANTER AND METHOD FOR CONTROLLING ION BEAM USING HIGH-CURRENT ION IMPLANTER

Provided herein are approaches for increasing operational range of an electrostatic lens. An electrostatic lens of an ion implantation system may receive an ion beam from an ion source, the electrostatic lens including a first plurality of conductive beam optics disposed along one side of an ion beam line and a second plurality of conductive beam optics disposed along a second side of the ion beam line. The ion implantation system may further include a power supply in communication with the electrostatic lens, the power supply operable to supply a voltage and a current to at least one of the first and second plurality of conductive beam optics, wherein the voltage and the current deflects the ion beam at a beam deflection angle, and wherein the ion beam is accelerated and then decelerated within the electrostatic lens. La présente invention concerne des approches destinées à accroître la portée opérationnelle d'une lentille électrostatique. Une lentille électrostatique d'un système d'implantation d'ions peut recevoir un faisceau d'ions d'une source d'ions, la lentille électrostatique incluant une première pluralité d'optiques de faisceau conductrices disposées le long d'un côté d'une ligne de faisceau d'ions et une deuxième pluralité d'optiques de faisceau conductrices disposées le long d'un deuxième côté de la ligne de faisceau d'ions. Le système d'implantation d'ions peut inclure en outre une alimentation électrique en communication avec la lentille électrostatique, l'alimentation électrique servant à alimenter en une tension et en un courant au moins une des première et deuxième pluralités d'optiques de faisceau conductrices, la tension et le courant déviant le faisceau d'ions selon un angle de déviation de faisceau, et le faisceau d'ions étant accéléré et puis décéléré dans la lentille électrostatique.