NANOWIRE DEVICE

A composition of matter comprising: a graphene layer carried directly on a sapphire, Si, SiC, Ga2O3 or group III-V semiconductor substrate; wherein a plurality of holes are present through said graphene layer; and wherein a plurality of nanowires or nanopyramids are grown from said substrate in said...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BARRIET, David, FIMLAND, Bjorn-Ove M, MUNSHI, Mazid, WEMAN, Helge, VIGEN, Leidulv, DHEERAJ, Dasa L
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A composition of matter comprising: a graphene layer carried directly on a sapphire, Si, SiC, Ga2O3 or group III-V semiconductor substrate; wherein a plurality of holes are present through said graphene layer; and wherein a plurality of nanowires or nanopyramids are grown from said substrate in said holes, said nanowires or nanopyramids comprising at least one semiconducting group III-V compound. L'invention concerne une composition de matière comprenant: une couche de graphène supportée directement sur un substrat semi-conducteur de saphir, de Si, de SiC, de Ga2O3 ou de groupe III-V ; une pluralité de trous étant présents à travers ladite couche de graphène ; et une pluralité de nanofils ou de nanopyramides étant formés à partir dudit substrat dans lesdits trous, lesdits nanofils ou nanopyramides comprenant au moins un composé du groupe III-V semi-conducteur.