METHOD FOR ETCHING FEATURES USING A TARGETED DEPOSITION FOR SELECTIVE PASSIVATION

A method for patterning a stack having a mask with a plurality of mask features is provided. A targeted deposition is provided, wherein the targeted deposition comprises a plurality of cycles, wherein each cycle comprises flowing a precursor to deposit a layer of precursor and targeted curing the layer of precursor, comprising flowing a curing gas, flowing a modification gas, forming a plasma from the curing gas and modification gas, and exposing the layer of precursor to the plasma providing a targeted curing, wherein plasma from the curing gas cures first portions of the layer of precursor and plasma from the modification gas modifies second portions of the layer of precursor, wherein the modification of the second portion reduces curing of the layer of precursor of the second portions of the layer of precursor. The stack is etched through the targeted deposition. L'invention concerne un procédé de formation d'un motif sur un empilement ayant un masque avec une pluralité de caractéristiques de masque. L'invention concerne un dépôt ciblé, le dépôt ciblé comprenant une pluralité de cycles, chaque cycle comprenant l'écoulement d'un précurseur pour déposer une couche de précurseur et le durcissement ciblé de la couche de précurseur, comprenant l'écoulement d'un gaz de durcissement, l'écoulement d'un gaz de modification, la formation d'un plasma à partir du gaz de durcissement et du gaz de modification, et l'exposition de la couche de précurseur au plasma assurant un durcissement ciblé, le plasma provenant du gaz de durcissement durcissant de premières parties de la couche de précurseur et le plasma provenant du gaz de modification modifiant des secondes parties de la couche de précurseur, la modification de la seconde partie réduisant le durcissement de la couche de précurseur des secondes parties de la couche de précurseur. L'empilement est gravé à travers le dépôt ciblé.