NUCLEAR REACTION DETECTION DEVICE, METHOD, AND PROGRAM
This nuclear reaction detection device 100 is provided with: a semiconductor memory 100 arranged in an environment into which radioactive rays are incident; a position information storage unit 210 which stores spatial position information about a semiconductor element in the semiconductor memory 100...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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Zusammenfassung: | This nuclear reaction detection device 100 is provided with: a semiconductor memory 100 arranged in an environment into which radioactive rays are incident; a position information storage unit 210 which stores spatial position information about a semiconductor element in the semiconductor memory 100; a bit position specification unit 220 which detects a signal event upset (SEU) occurring at a semiconductor element included in the semiconductor memory 100 and specifies the semiconductor element at which the SEU occurs; and a position calculation unit 230 which calculates a spatial position, at which the SEU occurs, on the basis of the specified semiconductor element and the spatial position information.
Le présent dispositif de détection de réaction nucléaire 100 est pourvu : d'une mémoire semi-conductrice 100 agencée dans un environnement dans lequel des rayons radioactifs sont incidents ; d'une unité de stockage d'informations de position 210 qui stocke des informations de position spatiale concernant un élément semi-conducteur dans la mémoire semi-conductrice 100 ; d'une unité de spécification de position de bit 220 qui détecte une perturbation d'événement de signal (SEU) se produisant au niveau d'un élément semi-conducteur inclus dans la mémoire semi-conductrice 100 et spécifie l'élément semi-conducteur au niveau duquel se produit la SEU ; et d'une unité de calcul de position 230 qui calcule une position spatiale, à laquelle la SEU a lieu, sur la base de l'élément semi-conducteur spécifié et des informations de position spatiale.
核反応検出装置100は、放射線が入射される環境に配置された半導体メモリ100と、半導体素子の半導体メモリ100における空間的位置情報を記憶する位置情報記憶部210と、半導体メモリ100に含まれる半導体素子においてSEU(Single Event Upset)が発生したこと検出するとともに当該SEUが発生した半導体素子を特定するビット位置特定部220と、前記特定した半導体素子及び前記空間的位置情報に基づきSEUが生じた空間的位置を算出する位置算出部230とを備えた。 |
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