BULK GAN CRYSTAL, C-PLANE GAN WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING BULK GAN CRYSTAL
In order to provide a bulk GaN crystal in which the degree of curvature of the c-plane is reduced, the present invention provides a bulk GaN crystal having a principal surface selected from a surface that is inclined 0 degrees to 10 degrees from the (0001) crystal plane and a surface that is incline...
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| Hauptverfasser: | , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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| creator | MIKAWA, Yutaka OKANO, Tetsuo |
| description | In order to provide a bulk GaN crystal in which the degree of curvature of the c-plane is reduced, the present invention provides a bulk GaN crystal having a principal surface selected from a surface that is inclined 0 degrees to 10 degrees from the (0001) crystal plane and a surface that is inclined 0 degrees to 10 degrees from the (000-1) crystal plane, the principal surface being a specific principal surface A that satisfies conditions (i) and (ii) below. (i): A first line as a virtual line segment having a length of 80 mm that extends in a first direction on the specific principal surface A can be drawn, and the difference between the maximum value and the minimum value of the peak angle of (002) XRD rocking curves of the GaN crystal, measured between 17 measurement points arranged at a 5-mm pitch on the first line and with the omega axis perpendicular to the first direction, is 0.05 degrees or less. (ii): A second line as a virtual line segment having a length of 80 mm that extends in a second direction perpendicular to the first direction on the specific principal surface A can be drawn, and the difference between the maximum value and the minimum value of the peak angle of (002) XRD rocking curves of the GaN crystal, measured between 17 measurement points arranged at a 5-mm pitch on the second line and with the omega axis perpendicular to the second direction, is 0.05 degrees or less.
Afin de fournir un cristal de GaN en vrac dans lequel le degré de courbure du plan c est réduit, la présente invention concerne un cristal de GaN en vrac ayant une surface principale choisie parmi une surface qui est inclinée de 0 degré à 10 degrés par rapport au plan cristallin (0001) et une surface qui est inclinée de 0 degré à 10 degrés par rapport au plan cristallin (000-1), la surface principale étant une surface principale spécifique A qui satisfait les conditions (i) et (ii) ci-dessous. (i) : Une première ligne sous la forme d'un segment de ligne virtuelle ayant une longueur de 80 mm qui s'étend dans une première direction sur la surface principale spécifique A peut être dessinée, et la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de l'angle de pic des courbes de basculement XRD (002) du cristal de GaN, mesurée entre 17 points de mesure disposés à un pas de 5 mm sur la première ligne et avec l'axe oméga perpendiculaire à la première direction, est inférieure ou égale à 0,05 degré. (ii) : Une seconde ligne sous la forme d'un segment de ligne virtuell |
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Afin de fournir un cristal de GaN en vrac dans lequel le degré de courbure du plan c est réduit, la présente invention concerne un cristal de GaN en vrac ayant une surface principale choisie parmi une surface qui est inclinée de 0 degré à 10 degrés par rapport au plan cristallin (0001) et une surface qui est inclinée de 0 degré à 10 degrés par rapport au plan cristallin (000-1), la surface principale étant une surface principale spécifique A qui satisfait les conditions (i) et (ii) ci-dessous. (i) : Une première ligne sous la forme d'un segment de ligne virtuelle ayant une longueur de 80 mm qui s'étend dans une première direction sur la surface principale spécifique A peut être dessinée, et la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de l'angle de pic des courbes de basculement XRD (002) du cristal de GaN, mesurée entre 17 points de mesure disposés à un pas de 5 mm sur la première ligne et avec l'axe oméga perpendiculaire à la première direction, est inférieure ou égale à 0,05 degré. (ii) : Une seconde ligne sous la forme d'un segment de ligne virtuelle ayant une longueur de 80 mm qui s'étend dans une seconde direction perpendiculaire à la première direction sur la surface principale spécifique A peut être dessinée, et la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de l'angle de pic des courbes de basculement XRD (002) du cristal de GaN, mesurée entre 17 points de mesure disposés à un pas de 5 mm sur la seconde ligne et avec l'axe oméga perpendiculaire à la seconde direction, est inférieure ou égale à 0,05 degré.
ｃ面の湾曲の程度が低減されたバルクＧａＮ結晶を提供すること。（０００１）結晶面からの傾斜が０度以上１０度以下である面、および（０００－１）結晶面からの傾斜が０度以上１０度以下である面から選ばれる主面を有し、該主面が、下記の条件（ｉ）および（ｉｉ）を充たす特定主面Ａである、バルクＧａＮ結晶。（ｉ）該特定主面Ａ上を第一方向に延びる長さ８０ｍｍの仮想的な線分である第一ラインを引くことができ、該第一ライン上に５ｍｍピッチで並んだ１７個の測定点間における、オメガ軸を該第一方向と垂直にして測定された当該ＧａＮ結晶の（００２）ＸＲＤロッキングカーブのピーク角度の最大値と最小値との差が０．０５度以下である；（ｉｉ）該特定主面Ａ上を該第一方向と垂直な第二方向に延びる長さ８０ｍｍの仮想的な線分である第二ラインを引くことができ、該第二ライン上に５ｍｍピッチで並んだ１７個の測定点間における、オメガ軸を該第二方向と垂直にして測定された当該ＧａＮ結晶の（００２）ＸＲＤロッキングカーブのピーク角度の最大値と最小値の差が０．０５度以下である。</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2021</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20210107&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2021002349A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20210107&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2021002349A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MIKAWA, Yutaka</creatorcontrib><creatorcontrib>OKANO, Tetsuo</creatorcontrib><title>BULK GAN CRYSTAL, C-PLANE GAN WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING BULK GAN CRYSTAL</title><description>In order to provide a bulk GaN crystal in which the degree of curvature of the c-plane is reduced, the present invention provides a bulk GaN crystal having a principal surface selected from a surface that is inclined 0 degrees to 10 degrees from the (0001) crystal plane and a surface that is inclined 0 degrees to 10 degrees from the (000-1) crystal plane, the principal surface being a specific principal surface A that satisfies conditions (i) and (ii) below. (i): A first line as a virtual line segment having a length of 80 mm that extends in a first direction on the specific principal surface A can be drawn, and the difference between the maximum value and the minimum value of the peak angle of (002) XRD rocking curves of the GaN crystal, measured between 17 measurement points arranged at a 5-mm pitch on the first line and with the omega axis perpendicular to the first direction, is 0.05 degrees or less. (ii): A second line as a virtual line segment having a length of 80 mm that extends in a second direction perpendicular to the first direction on the specific principal surface A can be drawn, and the difference between the maximum value and the minimum value of the peak angle of (002) XRD rocking curves of the GaN crystal, measured between 17 measurement points arranged at a 5-mm pitch on the second line and with the omega axis perpendicular to the second direction, is 0.05 degrees or less.
Afin de fournir un cristal de GaN en vrac dans lequel le degré de courbure du plan c est réduit, la présente invention concerne un cristal de GaN en vrac ayant une surface principale choisie parmi une surface qui est inclinée de 0 degré à 10 degrés par rapport au plan cristallin (0001) et une surface qui est inclinée de 0 degré à 10 degrés par rapport au plan cristallin (000-1), la surface principale étant une surface principale spécifique A qui satisfait les conditions (i) et (ii) ci-dessous. (i) : Une première ligne sous la forme d'un segment de ligne virtuelle ayant une longueur de 80 mm qui s'étend dans une première direction sur la surface principale spécifique A peut être dessinée, et la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de l'angle de pic des courbes de basculement XRD (002) du cristal de GaN, mesurée entre 17 points de mesure disposés à un pas de 5 mm sur la première ligne et avec l'axe oméga perpendiculaire à la première direction, est inférieure ou égale à 0,05 degré. (ii) : Une seconde ligne sous la forme d'un segment de ligne virtuelle ayant une longueur de 80 mm qui s'étend dans une seconde direction perpendiculaire à la première direction sur la surface principale spécifique A peut être dessinée, et la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de l'angle de pic des courbes de basculement XRD (002) du cristal de GaN, mesurée entre 17 points de mesure disposés à un pas de 5 mm sur la seconde ligne et avec l'axe oméga perpendiculaire à la seconde direction, est inférieure ou égale à 0,05 degré.
ｃ面の湾曲の程度が低減されたバルクＧａＮ結晶を提供すること。（０００１）結晶面からの傾斜が０度以上１０度以下である面、および（０００－１）結晶面からの傾斜が０度以上１０度以下である面から選ばれる主面を有し、該主面が、下記の条件（ｉ）および（ｉｉ）を充たす特定主面Ａである、バルクＧａＮ結晶。（ｉ）該特定主面Ａ上を第一方向に延びる長さ８０ｍｍの仮想的な線分である第一ラインを引くことができ、該第一ライン上に５ｍｍピッチで並んだ１７個の測定点間における、オメガ軸を該第一方向と垂直にして測定された当該ＧａＮ結晶の（００２）ＸＲＤロッキングカーブのピーク角度の最大値と最小値との差が０．０５度以下である；（ｉｉ）該特定主面Ａ上を該第一方向と垂直な第二方向に延びる長さ８０ｍｍの仮想的な線分である第二ラインを引くことができ、該第二ライン上に５ｍｍピッチで並んだ１７個の測定点間における、オメガ軸を該第二方向と垂直にして測定された当該ＧａＮ結晶の（００２）ＸＲＤロッキングカーブのピーク角度の最大値と最小値の差が０．０５度以下である。</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2021</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZAhyCvXxVnB39FNwDooMDnH00VFw1g3wcfRzBQuGO7q5BukoOPq5KPi6hnj4uyi4-Qcp-Dr6hbo5OoeEBnn6uSugm8DDwJqWmFOcyguluRmU3VxDnD10Uwvy41OLCxKTU_NSS-LD_Y0MjAwNDIyMTSwdDY2JUwUAHfUvtQ</recordid><startdate>20210107</startdate><enddate>20210107</enddate><creator>MIKAWA, Yutaka</creator><creator>OKANO, Tetsuo</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20210107</creationdate><title>BULK GAN CRYSTAL, C-PLANE GAN WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING BULK GAN CRYSTAL</title><author>MIKAWA, Yutaka ; OKANO, Tetsuo</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2021002349A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2021</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MIKAWA, Yutaka</creatorcontrib><creatorcontrib>OKANO, Tetsuo</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MIKAWA, Yutaka</au><au>OKANO, Tetsuo</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>BULK GAN CRYSTAL, C-PLANE GAN WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING BULK GAN CRYSTAL</title><date>2021-01-07</date><risdate>2021</risdate><abstract>In order to provide a bulk GaN crystal in which the degree of curvature of the c-plane is reduced, the present invention provides a bulk GaN crystal having a principal surface selected from a surface that is inclined 0 degrees to 10 degrees from the (0001) crystal plane and a surface that is inclined 0 degrees to 10 degrees from the (000-1) crystal plane, the principal surface being a specific principal surface A that satisfies conditions (i) and (ii) below. (i): A first line as a virtual line segment having a length of 80 mm that extends in a first direction on the specific principal surface A can be drawn, and the difference between the maximum value and the minimum value of the peak angle of (002) XRD rocking curves of the GaN crystal, measured between 17 measurement points arranged at a 5-mm pitch on the first line and with the omega axis perpendicular to the first direction, is 0.05 degrees or less. (ii): A second line as a virtual line segment having a length of 80 mm that extends in a second direction perpendicular to the first direction on the specific principal surface A can be drawn, and the difference between the maximum value and the minimum value of the peak angle of (002) XRD rocking curves of the GaN crystal, measured between 17 measurement points arranged at a 5-mm pitch on the second line and with the omega axis perpendicular to the second direction, is 0.05 degrees or less.
Afin de fournir un cristal de GaN en vrac dans lequel le degré de courbure du plan c est réduit, la présente invention concerne un cristal de GaN en vrac ayant une surface principale choisie parmi une surface qui est inclinée de 0 degré à 10 degrés par rapport au plan cristallin (0001) et une surface qui est inclinée de 0 degré à 10 degrés par rapport au plan cristallin (000-1), la surface principale étant une surface principale spécifique A qui satisfait les conditions (i) et (ii) ci-dessous. (i) : Une première ligne sous la forme d'un segment de ligne virtuelle ayant une longueur de 80 mm qui s'étend dans une première direction sur la surface principale spécifique A peut être dessinée, et la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de l'angle de pic des courbes de basculement XRD (002) du cristal de GaN, mesurée entre 17 points de mesure disposés à un pas de 5 mm sur la première ligne et avec l'axe oméga perpendiculaire à la première direction, est inférieure ou égale à 0,05 degré. (ii) : Une seconde ligne sous la forme d'un segment de ligne virtuelle ayant une longueur de 80 mm qui s'étend dans une seconde direction perpendiculaire à la première direction sur la surface principale spécifique A peut être dessinée, et la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de l'angle de pic des courbes de basculement XRD (002) du cristal de GaN, mesurée entre 17 points de mesure disposés à un pas de 5 mm sur la seconde ligne et avec l'axe oméga perpendiculaire à la seconde direction, est inférieure ou égale à 0,05 degré.
ｃ面の湾曲の程度が低減されたバルクＧａＮ結晶を提供すること。（０００１）結晶面からの傾斜が０度以上１０度以下である面、および（０００－１）結晶面からの傾斜が０度以上１０度以下である面から選ばれる主面を有し、該主面が、下記の条件（ｉ）および（ｉｉ）を充たす特定主面Ａである、バルクＧａＮ結晶。（ｉ）該特定主面Ａ上を第一方向に延びる長さ８０ｍｍの仮想的な線分である第一ラインを引くことができ、該第一ライン上に５ｍｍピッチで並んだ１７個の測定点間における、オメガ軸を該第一方向と垂直にして測定された当該ＧａＮ結晶の（００２）ＸＲＤロッキングカーブのピーク角度の最大値と最小値との差が０．０５度以下である；（ｉｉ）該特定主面Ａ上を該第一方向と垂直な第二方向に延びる長さ８０ｍｍの仮想的な線分である第二ラインを引くことができ、該第二ライン上に５ｍｍピッチで並んだ１７個の測定点間における、オメガ軸を該第二方向と垂直にして測定された当該ＧａＮ結晶の（００２）ＸＲＤロッキングカーブのピーク角度の最大値と最小値の差が０．０５度以下である。</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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