BULK GAN CRYSTAL, C-PLANE GAN WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING BULK GAN CRYSTAL

In order to provide a bulk GaN crystal in which the degree of curvature of the c-plane is reduced, the present invention provides a bulk GaN crystal having a principal surface selected from a surface that is inclined 0 degrees to 10 degrees from the (0001) crystal plane and a surface that is inclined 0 degrees to 10 degrees from the (000-1) crystal plane, the principal surface being a specific principal surface A that satisfies conditions (i) and (ii) below. (i): A first line as a virtual line segment having a length of 80 mm that extends in a first direction on the specific principal surface A can be drawn, and the difference between the maximum value and the minimum value of the peak angle of (002) XRD rocking curves of the GaN crystal, measured between 17 measurement points arranged at a 5-mm pitch on the first line and with the omega axis perpendicular to the first direction, is 0.05 degrees or less. (ii): A second line as a virtual line segment having a length of 80 mm that extends in a second direction perpendicular to the first direction on the specific principal surface A can be drawn, and the difference between the maximum value and the minimum value of the peak angle of (002) XRD rocking curves of the GaN crystal, measured between 17 measurement points arranged at a 5-mm pitch on the second line and with the omega axis perpendicular to the second direction, is 0.05 degrees or less. Afin de fournir un cristal de GaN en vrac dans lequel le degré de courbure du plan c est réduit, la présente invention concerne un cristal de GaN en vrac ayant une surface principale choisie parmi une surface qui est inclinée de 0 degré à 10 degrés par rapport au plan cristallin (0001) et une surface qui est inclinée de 0 degré à 10 degrés par rapport au plan cristallin (000-1), la surface principale étant une surface principale spécifique A qui satisfait les conditions (i) et (ii) ci-dessous. (i) : Une première ligne sous la forme d'un segment de ligne virtuelle ayant une longueur de 80 mm qui s'étend dans une première direction sur la surface principale spécifique A peut être dessinée, et la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de l'angle de pic des courbes de basculement XRD (002) du cristal de GaN, mesurée entre 17 points de mesure disposés à un pas de 5 mm sur la première ligne et avec l'axe oméga perpendiculaire à la première direction, est inférieure ou égale à 0,05 degré. (ii) : Une seconde ligne sous la forme d'un segment de ligne virtuell