HIGH VOLTAGE TRANSISTOR WITH A FIELD PLATE

A transistor (105) formed on a semiconductor substrate (100). The transistor including: a transistor gate (108) and an extended drain (107) between the transistor gate and a transistor drain contact; a transistor source contact (120) coupled to a source contact probe pad (128); a first dielectric layer (110) covering the semiconductor substrate and the transistor gate; a source field plate (122) on the first dielectric layer and coupled to a source field plate probe pad spaced from and electrically isolated from the source contact probe pad; and the source field plate capacitively coupled through the first dielectric layer to a first portion (109) of the extended drain. L'invention porte sur un transistor (105) formé sur un substrat semi-conducteur (100). Le transistor comprend : une grille de transistor (108) et un drain étendu (107) entre la grille de transistor et un contact de drain de transistor ; un contact de source de transistor (120) couplé à un plot de sonde de contact de source (128) ; une première couche diélectrique (110) recouvrant le substrat semi-conducteur et la grille de transistor ; une plaque de champ de source (122) sur la première couche diélectrique et couplée à un plot de sonde de plaque de champ de source espacé du plot de sonde de contact de source et isolée électriquement de celui-ci ; et la plaque de champ de source étant couplée de manière capacitive à travers la première couche diélectrique à une première partie (109) du drain étendu.