SYSTEMS AND METHODS FOR COMPENSATING FOR RF POWER LOSS

Systems and methods for compensating for radio frequency (RF) power loss are described. One of the methods includes conducting a no plasma test to determine a resistance associated with an output of an impedance matching circuit. After conducting the no plasma test, a substrate is processed in a pla...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: EVANS, Mathew Dennis, DREWERY, John, FLOWERS, Cristofer Addison
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Systems and methods for compensating for radio frequency (RF) power loss are described. One of the methods includes conducting a no plasma test to determine a resistance associated with an output of an impedance matching circuit. After conducting the no plasma test, a substrate is processed in a plasma chamber. During processing of the substrate, power loss associated with the output of the impedance matching circuit is determined. The power loss is used to determine an amount of power to be delivered by an RF generator. The amount of power delivered is adjusted until the power loss is stabilized. The stabilization of the power loss facilitates uniform process of the substrate and additional substrates in the plasma chamber. La présente invention concerne des systèmes et des procédés de compensation de perte de puissance radiofréquence (RF). L'un des procédés consiste à effectuer un test sans plasma pour déterminer une résistance associée à une sortie d'un circuit d'adaptation d'impédance. Après l'exécution du test sans plasma, un substrat est traité dans une chambre à plasma. Pendant le traitement du substrat, la perte de puissance associée à la sortie du circuit d'adaptation d'impédance est déterminée. La perte de puissance est utilisée pour déterminer une quantité de puissance devant être délivrée par un générateur RF. La quantité de puissance délivrée est ajustée jusqu'à ce que la perte de puissance soit stabilisée. La stabilisation de la perte de puissance facilite le processus uniforme du substrat et des substrats supplémentaires dans la chambre à plasma.