TIME OF FLIGHT SENSORS WITH LIGHT DIRECTING ELEMENTS
A time of flight sensor includes at least one demodulation pixel. Each demodulation pixel includes a semiconductor substrate; a charge generation region in the semiconductor substrate, the charge generation region having a lateral extent, the charge generation region being configured to convert ligh...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A time of flight sensor includes at least one demodulation pixel. Each demodulation pixel includes a semiconductor substrate; a charge generation region in the semiconductor substrate, the charge generation region having a lateral extent, the charge generation region being configured to convert light into charge carriers; a light directing element in the charge generation region of the semiconductor substrate, the light directing element being configured to direct light through at least a portion of the lateral extent of the charge generation region; a collection region in the semiconductor substrate, the collection region being configured to collect the charge carriers generated in at least a portion of the lateral extent of the charge generation region, and a readout component in electrical communication with the collection region, the readout component being operable to control an electrical coupling between the charge generation region and the collection region.
L'invention concerne un capteur de temps de vol qui comprend au moins un pixel de démodulation. Chaque pixel de démodulation comprend un substrat semi-conducteur ; une région de génération de charge dans le substrat semi-conducteur, la région de génération de charge ayant une étendue latérale, la région de génération de charge étant configurée pour convertir une lumière en porteurs de charge ; un élément d'orientation de lumière dans la région de génération de charge du substrat semi-conducteur, l'élément d'orientation de lumière étant configuré pour diriger une lumière à travers au moins une partie de l'étendue latérale de la région de génération de charge ; une région de collecte dans le substrat semi-conducteur, la région de collecte étant configurée pour collecter les porteurs de charge générés dans au moins une partie de l'étendue latérale de la région de génération de charge, et un composant de lecture en communication électrique avec la région de collecte, le composant de lecture étant utilisable pour commander un couplage électrique entre la région de génération de charge et la région de collecte. |
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