METHOD FOR DETERMINING A PRODUCTION PARAMETER FOR A RESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY CELL

The invention relates to a method for determining at least one value (tTE_opt, tOX_opt, Xopt) of at least one production parameter (tTE, tOX, x) for a resistive memory cell, the resistive memory cell comprising a thin-film stack, said method comprising the following steps: - providing (S1) a plurality of reference memory cells (10) corresponding to a plurality of technological variants of the thin-film stack; - measuring (S2) an initial resistance value (Ri) for each reference memory cell; - determining (S3, S4), for each reference memory cell (10), a value of a programming parameter chosen from among the resistance in a high-resistance state (RHRS) and the programming window; - establishing (S5) a relationship between the programming parameter and the initial resistance (Ri) based on the initial resistance values (Ri) and the values of the programming parameter; and - determining said at least one value (tTE_opt, tOX_opt, Xopt) of said at least one production parameter (tTE, tOX, x) for which the programming parameter is greater than or equal to a target value (RHRS_tg), based on said relationship between the programming parameter and the initial resistance (Ri) and on at least one dependency relationship between the initial resistance (Ri) and said at least one production parameter (tTE, tOX, x). L'invention concerne un procédé pour déterminer au moins une valeur (tTE_opt, tOX_opt, Xopt) d'au moins un paramètre de fabrication (tTE, tOX, x) d'une cellule mémoire résistive, la cellule mémoire résistive comprenant un empilement de couches minces, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - fournir (S1) plusieurs cellules mémoire de référence (10) correspondant à plusieurs variantes technologiques de l'empilement de couches minces; - mesurer (S2) pour chaque cellule mémoire de référence une valeur de résistance initiale (Ri); - déterminer (S3, S4) pour chaque cellule mémoire de référence (10) une valeur d'un paramètre de programmation choisi parmi la résistance dans un état fortement résistif (RHRS) et la fenêtre de programmation; - établir (S5) une relation entre le paramètre de programmation et la résistance initiale (Ri) à partir des valeurs de résistance initiale (Ri) et des valeurs du paramètre de programmation; et - déterminer ladite au moins une valeur (tTE_opt, tOX_opt, Xopt) dudit au moins un paramètre de fabrication (tTE, tOX, x) pour laquelle le paramètre de programmation est supérieur ou égal à une valeur cible (RHRS_tg), à partir de ladite