PALLADIUM-COATED COPPER BONDING WIRE, METHOD FOR PRODUCING PALLADIUM-COATED COPPER BONDING WIRE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SAME

This palladium-coated copper bonding wire includes a core material composed mainly of copper and a palladium layer on the core material, wherein: the concentration of palladium with respect to the entire wire is 1.0-4.0 mass%; and the work hardening coefficient, when the amount of change in the wire elongation rate is at least 2% and at most the maximum elongation rate εmax%, is at most 0.20. Le fil de connexion en cuivre revêtu de palladium selon la présente invention comprend un matériau d'âme composé principalement de cuivre, et une couche de palladium sur le matériau d'âme. La concentration de palladium par rapport à l'ensemble du fil est de 1,0 à 4,0 % en masse, et le coefficient d'écrouissage, lorsque la quantité de changement dans le taux d'allongement de fil représente au moins 2 % et au plus le taux d'allongement maximal, εmax %, est inférieur ou égal à 0,20. 銅を主成分とする芯材と、芯材上のパラジウム層とを有し、ワイヤ全体に対するパラジウムの濃度が１．０質量％以上４．０質量％以下であり、ワイヤの伸び率が２％以上最大伸び率εmax％以下の変化量における加工硬化係数が０．２０以下であるパラジウム被覆銅ボンディングワイヤ。