AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD FOR FABRICATING AN AVALANCHE PHOTODIODE

A semiconductor body comprises a buried layer (25) of a first type of conductivity, a first region (26) of the first type of conductivity, a shallow region (27) of a second type of conductivity at a first surface (13) of the semiconductor body (11), a sinker (35) of the first type of conductivity lo...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	RÖHRER, Georg
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A semiconductor body comprises a buried layer (25) of a first type of conductivity, a first region (26) of the first type of conductivity, a shallow region (27) of a second type of conductivity at a first surface (13) of the semiconductor body (11), a sinker (35) of the first type of conductivity located at the first surface (13) of the semiconductor body (11), and a separating region (60, 60') of the first type of conductivity encircling at least one of the sinker (35) and the buried layer (25). The first region (26) is between the buried layer (25) and the shallow region (27). L'invention concerne un corps semi-conducteur comprenant une couche enfouie (25) d'un premier type de conductivité, une première région (26) du premier type de conductivité, une région peu profonde (27) d'un second type de conductivité au niveau d'une première surface (13) du corps semi-conducteur (11), une platine (35) du premier type de conductivité située au niveau de la première surface (13) du corps semi-conducteur (11), et une région de séparation (60, 60') du premier type de conductivité encerclant la platine (35) et/ou la couche enfouie (25). La première région (26) se trouve entre la couche enfouie (25) et la région peu profonde (27).